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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术,可在Totem Pole、ANPC、Vie...
吉时利数字源表2450如何实现MOSFET栅极漏电流的超低噪声测量
一、引言 随着半导体工艺的不断发展,MOSFET的尺寸不断缩小,栅极漏电流成为影响器件性能的重要因素。栅极漏电流不仅增加电路功耗,还可能引入噪声,影响信...
新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三电平虚拟评估板
新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三电平虚拟评估板该虚拟设计(提供设计文件,不提供实物产品)为3L-ANPC拓扑,是带隔离的三相...
A+C口兼容双接口电路,可满足多设备充电需求,还可以兼容传统USB-A设备,接口互补,场景覆盖广,依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推...
龙腾半导体车规级超结MOSFET LSB60R041GFA概述
本款产品采用新一代超结技术,专为汽车电子和高功率场景打造。在质量与可靠性方面,产品严格遵循 AEC - Q101 车规级可靠性认证标准以及 IATF 1...
全球新能源行业瞩目的第十八届国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会(SNEC 2025)于2025年6月11日至13日在上海国家会展中心盛大举行。作为功率...
突破性能边界:基本半导体B3M010C075Z SiC MOSFET技术解析与应用前景
突破性能边界:基本半导体B3M010C075Z SiC MOSFET技术解析与应用前景 在高效能电力电子系统飞速发展的今天,碳化硅(Si...
新品 | 用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR2...
小米30W立式双线圈无线充拆解:捷捷微电MOSFET驱动极速高效充电
捷捷微电核心技术再获行业认可!近日,小米30W立式无线充电器(型号MDY-17-EM)正式搭载捷捷微电JMSL1040AGD双NMOS功率器件,以卓越性...
爆款方案!捷捷微电MOSFET、IGBT双杀,微型逆变器效率狂飙200%
微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件,其性能与功率器件的选型密切相关。捷捷微电针对不同功率需求,提供了基于MOSFET和IGBT的多样化解决方案。本文结...
罗姆发布高效能100V功率MOSFET,助力AI服务器电源管理升级
近日,罗姆半导体集团(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET,专为AI服务器的48V电源热插拔电路设计。旨在提升数据中心的效率和可靠性,满足...
辰达半导体推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,...
新洁能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品
作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一,新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破,其研发团队持续创新,正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT ...
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSF...
SiC战场转向国内?三款SiC MOSFET新品齐发,导通损耗再降50%
电子发烧友网报道(文/莫婷婷)碳化硅(SiC)MOSFET已成为功率半导体行业技术演进的重要方向。相比其他现有技术,SiC MOSFET在性能上展现出显...
基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用
基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用 一、引言 在电力电子技术飞速发展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 凭借其...
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