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新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三电平虚拟评估板

英飞凌工业半导体 2025-06-19 17:05 次阅读

新品

采用CoolSiC 400V SiC MOSFET

ANPC三电平虚拟评估板

977bdcf8-4cec-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


该虚拟设计(提供设计文件,不提供实物产品)为3L-ANPC拓扑,是带隔离的三相三电平逆变器板。优化的PCB布局最大限度地减少了换流回路电感,降低了开关损耗和电压过冲。该设计是工程师和研究人员实验、验证和优化工业电机驱动器和光伏组串逆变器3L-ANPC系统的理想选择。


产品型号:

EVAL_10KW_3LANPC_SIC


所用器件:

IMT40R011M2H

BSZ099N06LS5

2EDF7275F

TLI4971-A120T5-E0001

XMC1302-T028X0200 AB

KIT_XMC_LINK_SEGGER_V1

KIT_XMC4400_DC_V1

CURSENSORPROGRAMMERTOBO1


产品特点

3L-ANPC拓扑测试平台

三相三电平ANPC功率板

隔离辅助电源

XMC4400驱动板接口

高精度无芯电流传感器

CoolSiC 400V - 无散热片设计

应用价值


效率高>99.5%,功率密度高

低电磁干扰

降低电压应力,提高使用寿命

灵活的电机控制算法

允许进行2-L修改以进行比较

通过散热器(可选)扩展功率范围


竞争优势


CoolSiC MOSFET 400V G2在3L-ANPC中的价值主张

400V SiC MOSFET用于三电平拓扑(ANPC),耐电压能力达800V(DC)

更高的VBUS电压可提高效率和功率密度,减少PCB铜层,并可以避免并联

多电平拓扑结构固有较低电流纹波可减小电感器尺寸

固有的较低dv/dt更好的电磁干扰性能

热量扩散到18个MOSFET上,实现更好的热管理


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